DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 11 A, 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN-2020

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB27,972.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,931.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB9.324THB27,972.00
6000 - 6000THB9.101THB27,303.00
9000 - 21000THB8.882THB26,646.00
24000 +THB8.669THB26,007.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
246-6803
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMN29M9UFDF-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

UDFN-2020

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.73W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

2.05mm

Width

2.05 mm

Standards/Approvals

No

Height

0.63mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN2020-6 packaging and 0.6mm profile makes it ideal for low profile applications . It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 20 V Maximum gate to source voltage is ±12 V It has PCB Footprint of 4mm^2 It offers low gate threshold voltage It provides an ESD protected Gate

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง