onsemi NTMFS1D7N N-Channel MOSFET, 170 A, 30 V Enhancement, 5-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 221-6730P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS1D7N03CGT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB773.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB827.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 90 | THB38.672 |
| 100 - 240 | THB37.703 |
| 250 - 490 | THB36.761 |
| 500 + | THB35.843 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 221-6730P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS1D7N03CGT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NTMFS1D7N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.74mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 87W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 6.3mm | |
| Length | 5.3mm | |
| Width | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | Pb-Free, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type DFN | ||
Series NTMFS1D7N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.74mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 87W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 6.3mm | ||
Length 5.3mm | ||
Width 1.1mm | ||
Standards/Approvals Pb-Free, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor 30V of power MOSFET used 170 A of drain current with single N−channel. It improve inrush current management and improve system efficiency.
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Low capacitance to minimize driver losses