onsemi NTHL125N N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 221-6718P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL125N65S3H
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB2,442.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,613.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 394 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 98 | THB244.26 |
| 100 - 248 | THB238.155 |
| 250 - 498 | THB232.195 |
| 500 + | THB226.385 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 221-6718P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL125N65S3H
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | NTHL125N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 171W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Length | 15.87mm | |
| Height | 41.34mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series NTHL125N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 171W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.8mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Length 15.87mm | ||
Height 41.34mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET has high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Ultra low gate charge
low effective output capacitance 379 pF
100% avalanche tested