Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 49 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 220-7408
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD65R190C7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 49 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB121,552.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB130,060.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB48.621	THB121,552.50
5000 - 7500	THB47.162	THB117,905.00
10000 +	THB45.748	THB114,370.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7408
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD65R190C7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	49A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	TO-252
	Series	CoolMOS C7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	900mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	72mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Width	6.22 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 49A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type TO-252
	Series CoolMOS C7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 72mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Width 6.22 mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Height 2.41mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD65R190C7ATMA1

The Infineon Cool MOS C7 super junction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

650V voltage

Revolutionary best-in-class R DS(on)/package

Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)

Lower gate charge Qg

Space saving through use of smaller packages or reduction of parts

12 years manufacturing experience in super junction technology

Improved safety margin and suitable for both SMPS and solar inverter applications

Lowest conduction losses/package

Low switching losses

Better light load efficiency

Increasing power density

Outstanding Cool MOS™ quality

Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 49 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง