Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 12 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB015N04NGATMA1
- RS Stock No.:
- 220-7374
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB015N04NGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 220-7374
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB015N04NGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Ideal for fast switching applications
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
System cost reduction
Very low voltage overshoot
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB065N10N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB031N08N5ATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
