Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 386 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024P7XKSA1

RS Stock No.:: 219-6019
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPW60R024P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 386 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024P7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB423.83

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB453.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

269 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB423.83
10 - 99	THB402.64
100 - 249	THB382.51
250 - 499	THB363.38
500 +	THB345.21

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 219-6019
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPW60R024P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	386A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-247
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	24mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	164nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	291W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	5.21mm
	Width	21.1 mm
	Length	16.13mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 386A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-247
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 164nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 291W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 5.21mm
	Width 21.1 mm
	Length 16.13mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPW60R024P7XKSA1

The Infineon 600V CoolMOS P7 superjunction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM RDS(on)xEoss and RDS(on)xQG

Integrated gate resistor RG

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

MOSFET is suitable for both hard and resonant switching topologies such as PFC and LLC

Excellent ruggedness during hard commutation of the body diode seen in LLC topology

Suitable for a wide variety of end applications and output powers

Parts available suitable for consumer and industrial applications

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 386 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024P7XKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง