STMicroelectronics SCTH40N N-Channel MOSFET, 33 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin H2PAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*

THB28,381.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30,368.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
50 - 99THB567.63
100 - 249THB553.44
250 - 499THB539.60
500 +THB526.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
219-4222P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTH40N120G2V-7
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

H2PAK

Series

SCTH40N

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

105mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.8mm

Standards/Approvals

No

Length

10.4mm

Height

15.25mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

AEC-Q101 qualified

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance