Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-5
- RS Stock No.:
- 218-2987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB82,732.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB88,524.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB41.366 | THB82,732.00 |
| 4000 - 6000 | THB40.125 | THB80,250.00 |
| 8000 + | THB38.922 | THB77,844.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-2987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IAUA | |
| Package Type | PG-HSOF-5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IAUA | ||
Package Type PG-HSOF-5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS™-5 series N-channel power MOSFET. It is used for automotive applications.
N-channel - Enhancement mode - Normal Level
MSL3 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-5
- Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-5 IAUA200N04S5N010AUMA1
- Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-5 IAUA250N04S6N007EAUMA1
- Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-5 IAUA120N04S5N014AUMA1
- Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-5 IAUA250N04S6N005AUMA1
- Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-5
- Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-5 IAUA250N04S6N008AUMA1
- Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF