Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRF200P223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB703.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB753.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 1,105 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB140.79THB703.95
10 - 10THB137.272THB686.36
15 +THB135.162THB675.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
217-2596
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF200P223
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

313W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.87mm

Standards/Approvals

No

Height

34.9mm

Width

5.31 mm

Distrelec Product Id

304-31-968

Automotive Standard

No

The Infineon Strong IRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. .

Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability

Pb-Free ; RoHS Compliant ; Halogen-Free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง