Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN IPZ40N04S58R4ATMA1
- RS Stock No.:
- 217-2589
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPZ40N04S58R4ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB385.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB412.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 14,900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 1240 | THB19.266 | THB385.32 |
| 1260 - 2480 | THB18.785 | THB375.70 |
| 2500 + | THB18.496 | THB369.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2589
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPZ40N04S58R4ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IPZ | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 34W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IPZ | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 34W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 40V, N-Ch, 8.4 mΩ max, Automotive MOSFET, S3O8, OptiMOS™-5.
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
N-channel - Enhancement mode - Normal Level
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN IPZ40N04S55R4ATMA1
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN IPZ40N04S53R1ATMA1
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPZ40N04S5L7R4ATMA1
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IPZ40N04S5L2R8ATMA1