Infineon CoolMOS CFDA N-Channel MOSFET, 22.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP65R150CFDAAKSA1
- RS Stock No.:
- 217-2563
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP65R150CFDAAKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB860.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB920.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 820 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB172.00 | THB860.00 |
| 15 - 20 | THB167.698 | THB838.49 |
| 25 + | THB165.116 | THB825.58 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2563
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP65R150CFDAAKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | CoolMOS CFDA | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 150mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 195.3W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.21mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 41.42mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series CoolMOS CFDA | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 195.3W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.21mm | ||
Length 16.13mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 41.42mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.
First 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market
Limited voltage overshoot during hard commutation – self limiting di/dt and dv/dt
Low gate charge value Q g
Low Q rr at repetitive commutation on body diode & low Q oss
Reduced turn on and turn of delay times
Compliant to AEC Q101 standard
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CFDA N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R180P6AUMA1
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SPA11N60C3XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA65R125C7XKSA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R099C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R099C6XKSA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R070CFD7XKSA1