Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 214-9094
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R180C7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,462.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,634.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB49.243 | THB2,462.15 |
| 100 - 150 | THB48.172 | THB2,408.60 |
| 200 + | THB47.101 | THB2,355.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9094
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R180C7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | CoolMOS C7 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 180mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.36mm | |
| Width | 4.57 mm | |
| Height | 9.45mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series CoolMOS C7 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.36mm | ||
Width 4.57 mm | ||
Height 9.45mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS Series is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. These are Suitable for hard and soft switching. Suitable for applications such as server, telecom and solar.
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC
Suitable for hard and soft switching
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R180C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R180C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP65R190C7FKSA1
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon 600V CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R180C7ATMA1