Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R2K0C6ATMA1
- RS Stock No.:
- 214-9042
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R2K0C6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (2500 ชิ้น, ในม้วนขนาด 2500)*
THB26,150.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB27,975.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB10.46 | THB26,150.00 |
| 5000 - 7500 | THB10.146 | THB25,365.00 |
| 10000 + | THB9.842 | THB24,605.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9042
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R2K0C6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | CoolMOS C6 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 22.3W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series CoolMOS C6 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 22.3W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
Easy to use/drive
Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R2K0C6ATMA1
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R190C6FKSA1
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247