Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET, 38 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R099C6XKSA1
- RS Stock No.:
- 145-9727
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R099C6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB6,348.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,793.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 250 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB126.976 | THB6,348.80 |
| 100 - 150 | THB124.216 | THB6,210.80 |
| 200 + | THB121.455 | THB6,072.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-9727
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R099C6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 38A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS C6 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 99mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 35W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 119nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 16.15mm | |
| Width | 4.9mm | |
| Length | 10.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 38A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS C6 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 99mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 35W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 119nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 16.15mm | ||
Width 4.9mm | ||
Length 10.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R099C6XKSA1
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R099C6FKSA1
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R190C6FKSA1
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R041C6FKSA1