Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 34 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC0996NSATMA1
- RS Stock No.:
- 214-8979
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC0996NSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB1,423.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,522.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 1200 | THB28.465 | THB1,423.25 |
| 1250 - 2450 | THB27.753 | THB1,387.65 |
| 2500 + | THB27.326 | THB1,366.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8979
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC0996NSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 34V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.49mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 34V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.49mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
It comes with Improved switching behaviour
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 34 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
