onsemi NTP N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTP082N65S3HF
- RS Stock No.:
- 214-8911P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTP082N65S3HF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 14 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB3,857.98
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,128.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 758 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 14 - 24 | THB275.57 |
| 26 + | THB271.335 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8911P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTP082N65S3HF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | NTP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 82mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 313W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.53mm | |
| Width | 15.75mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series NTP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 82mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 313W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.53mm | ||
Width 15.75mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor MOSFET is brand−new high voltage super−junction MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Pb−Free
RoHS compliant