Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 300 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- RS Stock No.:
- 214-4346
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB203,950.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB218,226.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB101.975 | THB203,950.00 |
| 4000 - 6000 | THB98.916 | THB197,832.00 |
| 8000 + | THB95.948 | THB191,896.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4346
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 300A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSOF | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 166nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 300A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSOF | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 166nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon OptiMOS MOSFET offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.
It is ideal for hot-swap and e-fuse applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT300N10S5N015ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT007N06NATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT240N08S5N019ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT260N10S5N019ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF