STMicroelectronics SCTL35N65G2V Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerFLAT
- RS Stock No.:
- 213-3942P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTL35N65G2V
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB442,920.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB473,925.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 750 - 1499 | THB590.56 |
| 1500 + | THB581.49 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 213-3942P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTL35N65G2V
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Series | SCTL35N65G2V | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 67mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 417W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 73nC | |
| Forward Voltage Vf | 3.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 8.1mm | |
| Height | 0.95mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 8.1 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Series SCTL35N65G2V | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 67mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 417W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC | ||
Forward Voltage Vf 3.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 8.1mm | ||
Height 0.95mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 8.1 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Source sensing pin for increased efficiency