STMicroelectronics STWA68N65DM6 N-Channel MOSFET, 48 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA68N65DM6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
212-2109P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STWA68N65DM6
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Series

STWA68N65DM6

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

48 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

650 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

3

Package Type

TO-247

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

0.059 Ω

Mount Type

Through Hole

MDMesh M6 MOSFET N-CH


The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converter.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness