Toshiba TPH1R306PL Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOP
- RS Stock No.:
- 206-9789
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TPH1R306PL,L1Q(M
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB350,600.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB375,150.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB70.12 | THB350,600.00 |
| 10000 - 15000 | THB68.016 | THB340,080.00 |
| 20000 + | THB65.976 | THB329,880.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-9789
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TPH1R306PL,L1Q(M
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOP | |
| Series | TPH1R306PL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 91nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.9mm | |
| Width | 5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOP | ||
Series TPH1R306PL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 91nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.9mm | ||
Width 5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties. It is mainly used in high-efficiency DC-DC converters, switching voltage regulators and motor drivers.
Low drain-source on-resistance 1.0 m?
Storage temperature -55 to 175°C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba TPH1R306PL Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementL1Q(M
- Toshiba TPHR8504PL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 75 V, 8-Pin SOP
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSON
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementL1Q(M
- Toshiba TPHR8504PL Type N-Channel MOSFET 40 V EnhancementL1Q(M
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 75 VL1Q(M
- Toshiba TPC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP