Toshiba TK090Z65Z Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 206-9728
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK090Z65Z,S1F(O
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB264.68
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB283.21
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 54 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 6 | THB264.68 |
| 7 - 12 | THB258.08 |
| 13 + | THB254.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-9728
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK090Z65Z,S1F(O
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | TK090Z65Z | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 90mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 40.96mm | |
| Height | 5mm | |
| Width | 15.94 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series TK090Z65Z | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 40.96mm | ||
Height 5mm | ||
Width 15.94 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.
Low drain-source on-resistance 0.075 ?
Storage temperature -55 to 150°C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba TK090Z65Z Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS1F(O
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 250 V EnhancementS1F(O
- Toshiba TK090N65Z Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Toshiba TK090N65Z Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS1F(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS1F(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS1F(S
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247