Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 49 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 TK49N65W,S1F(S
- RS Stock No.:
- 896-2397
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK49N65W,S1F(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB369.86
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB395.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 17 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 19 | THB369.86 |
| 20 - 49 | THB358.77 |
| 50 - 99 | THB347.68 |
| 100 - 249 | THB340.28 |
| 250 + | THB332.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 896-2397
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK49N65W,S1F(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 49A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | TK | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 55mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.02 mm | |
| Length | 15.94mm | |
| Height | 20.95mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 49A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series TK | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.02 mm | ||
Length 15.94mm | ||
Height 20.95mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTBL050N65S Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF NTBL050N65S3H
- onsemi NTBL050N65S Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R040M2HXTMA1
- Toshiba TK090N65Z Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS1F(S
- Toshiba TK090N65Z Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS1F(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
