STMicroelectronics STP50N60DM6 N-Channel MOSFET, 36 A, 600 V Enhancement, 8-Pin TO-LL
- RS Stock No.:
- 206-8634P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP50N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 14 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB3,293.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,524.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 14 - 24 | THB235.25 |
| 26 + | THB231.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-8634P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP50N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-LL | |
| Series | STP50N60DM6 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 28.9mm | |
| Height | 4.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 10mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-LL | ||
Series STP50N60DM6 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 28.9mm | ||
Height 4.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 10mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected