DiodesZetex DMT4001 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMT4001LPS-13

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB493.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB528.215

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,910 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 620THB98.732THB493.66
625 - 1245THB96.264THB481.32
1250 +THB94.784THB473.92

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
206-0141
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMT4001LPS-13
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerDI5060

Series

DMT4001

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Height

0.9mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

COO (Country of Origin):
CN
The DiodesZetex 40V,8 pin N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20V with 2.6 W thermal power dissipation.

High conversion efficiency

Low RDS(ON) – minimizes on state losses

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง