DiodesZetex DMT4001 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB122,537.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB131,115.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB49.015THB122,537.50
5000 - 7500THB47.544THB118,860.00
10000 +THB46.118THB115,295.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
206-0140
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMT4001LPS-13
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerDI5060

Series

DMT4001

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.15mm

Height

0.9mm

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

COO (Country of Origin):
CN
The DiodesZetex 40V,8 pin N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20V with 2.6 W thermal power dissipation.

High conversion efficiency

Low RDS(ON) – minimizes on state losses

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง