onsemi NTH N-Channel MOSFET & Diode, 31 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 205-2502P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL080N120SC1A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 113 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB49,251.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB52,698.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 209 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 113 - 224 | THB435.85 |
| 225 + | THB429.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 205-2502P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL080N120SC1A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | NTH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 178W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Forward Voltage Vf | 4V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 39.75mm | |
| Height | 4.48mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 15.37mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-247 | ||
Series NTH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 178W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Forward Voltage Vf 4V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 39.75mm | ||
Height 4.48mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 15.37mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
The ON Semiconductor NTH series SiC N-channel 1200V MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Continuous Drain Current rating is 31A
Drain to source on resistance rating is 110mohm
High speed switching and low capacitance
100% UIL tested
Low effective output capacitance
Package type is TO-247-3LD