onsemi NTB N-Channel MOSFET & Diode, 60 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 205-2496P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBS9D0N10MC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB13,221.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB14,146.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,500 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 200 - 390 | THB66.107 |
| 400 + | THB65.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 205-2496P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBS9D0N10MC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | NTB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 9.6mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 14.6mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series NTB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 9.6mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 14.6mm | ||
Height 4.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor single N-channel 100V MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Continuous Drain Current rating is 60A
Drain to source on resistance rating is 9.0mohm
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Optimized switching performance
Low QG and capacitance to minimize driver losses
Industry’s lowest Qrr and softest body-diode for superior low noise switching
Lowers switching noise/EMI
High efficiency with lower switching spike and EMI
Package type is D2PAK3