STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Type N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

RS Stock No.:: 204-3957
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTWA35N65G2V
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Type N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB15,992.19

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB17,111.64

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

60 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 30	THB533.073	THB15,992.19
60 - 90	THB521.485	THB15,644.55
120 +	THB509.897	THB15,296.91

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 204-3957
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTWA35N65G2V
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	SiC Power Module
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	Hip-247
	Series	SCTWA35N65G2V
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.072Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	73nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	240W
	Forward Voltage Vf	3.3V
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Length	15.9mm
	Standards/Approvals	No
	Height	41.2mm
	Width	5.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type SiC Power Module
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type Hip-247
	Series SCTWA35N65G2V
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.072Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 240W
	Forward Voltage Vf 3.3V
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Length 15.9mm
	Standards/Approvals No
	Height 41.2mm
	Width 5.1 mm
	Automotive Standard No

datasheet - SCTWA35N65G2V

COO (Country of Origin):: CN

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of both on-resistance and switching losses is almost independent of junction temperature.

Low capacitance

Very fast and robust intrinsic body diode

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Type N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง