STMicroelectronics SCTH50N120-7 N-Channel SiC Power Module, 55 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH50N120-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 250 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB583,457.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB624,300.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
250 - 499THB2,333.83
500 +THB2,297.92

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
204-3954P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTH50N120-7
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

SiC Power Module

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Series

SCTH50N120-7

Package Type

H2PAK-7

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.065Ω

Channel Mode

Enhancement

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very tight variation of on-resistance vs.

temperature

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance