onsemi NVH N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 114 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB183,050.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB195,864.54

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 394 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
114 - 224THB1,605.71
226 +THB1,581.01

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
202-5738P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NVH4L040N120SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NVH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

319W

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Maximum Operating Temperature

170°C

Length

15.8mm

Standards/Approvals

No

Width

5.2mm

Height

22.74mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, TO247-4L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 58 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.

AEC Q101 qualified

Production part approval process Capable

100% avalanche tested

Low effective output capacitance