onsemi NVH N-Channel MOSFET, 102 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 113 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB185,621.71

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB198,615.58

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 32 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
113 - 224THB1,642.67
225 +THB1,617.39

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
202-5735P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NVH4L020N120SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

102A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

TO-247

Series

NVH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

28mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

220nC

Maximum Power Dissipation Pd

510W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

22.74mm

Standards/Approvals

AEC-Q101 and PPAP Capable

Width

5.2mm

Length

15.8mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 20 mΩ, TO247-4L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 102 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.

AEC Q101 qualified

Production part approval process Capable

100% avalanche tested

Low effective output capacitance