onsemi NTB N-Channel MOSFET, 60 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 202-5690P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB156,020.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB166,942.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- เพิ่มอีก 325 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 200 - 395 | THB780.10 |
| 400 + | THB768.096 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5690P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NTB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Forward Voltage Vf | 3.7V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 357W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 15.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.2mm | |
| Width | 4.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NTB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Forward Voltage Vf 3.7V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 357W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 15.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.2mm | ||
Width 4.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC or DC converter, Boost inverter.
40mO drain to source on resistance
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb free
RoHS compliant
