onsemi NTB N-Channel MOSFET, 60 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB156,020.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB166,942.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีสต็อกจำกัด
  • เพิ่มอีก 325 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
200 - 395THB780.10
400 +THB768.096

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
202-5690P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTBG040N120SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

TO-263

Series

NTB

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Forward Voltage Vf

3.7V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

357W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

15.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.2mm

Width

4.7mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC or DC converter, Boost inverter.

40mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant