STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 68 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 202-5555P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA70N65DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB3,508.72
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,754.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB438.59 |
| 15 + | THB431.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5555P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA70N65DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 68A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | ST | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.036Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 450W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 125nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 41.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 68A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series ST | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.036Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Power Dissipation Pd 450W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 125nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 41.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
100% avalanche tested
Zener-protected