STMicroelectronics ST SiC N-Channel MOSFET Module, 38 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-247 STWA65N60DM6

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
202-5550
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STWA65N60DM6
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

38 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

ST

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.06 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.

100% avalanche tested
Zener-protected

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง