STMicroelectronics ST N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 202-5496P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB33N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 250 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB54,880.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB58,722.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 250 - 498 | THB219.52 |
| 500 + | THB216.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5496P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB33N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | ST | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.115Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.6mm | |
| Height | 15.85mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series ST | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.115Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.6mm | ||
Height 15.85mm | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
