STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263 STB33N60DM6
- RS Stock No.:
- 202-5496
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB33N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB409.34
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB438.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 998 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 248 | THB204.67 | THB409.34 |
| 250 - 498 | THB199.565 | THB399.13 |
| 500 + | THB196.485 | THB392.97 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5496
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB33N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | ST | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.115Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 15.85mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Width | 4.6 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series ST | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.115Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 15.85mm | ||
Length 10.4mm | ||
Width 4.6 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin TO-247 STWA67N60M6
- STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin TO-220 STF36N60M6
- STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin TO-220 STF22N60M6
- STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin TO-247