STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 202-5495
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STB33N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB141,065.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB150,940.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB141.065	THB141,065.00
2000 - 3000	THB136.833	THB136,833.00
4000 +	THB132.728	THB132,728.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 202-5495
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STB33N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	ST
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.115Ω
	Channel Mode	Depletion
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd	190W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.4mm
	Width	4.6 mm
	Height	15.85mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series ST
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.115Ω
	Channel Mode Depletion
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd 190W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.4mm
	Width 4.6 mm
	Height 15.85mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - STB33N60DM6

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง