Vishay SQS484CENW Type N-Channel MOSFET, 16 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Stock No.:
- 200-6851
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQS484CENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB1,261.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,349.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | THB25.22 | THB1,261.00 |
| 750 - 1450 | THB24.59 | THB1,229.50 |
| 1500 + | THB24.211 | THB1,210.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 200-6851
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQS484CENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | SQS484CENW | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 3.4mm | |
| Width | 1.12 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series SQS484CENW | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Height 3.4mm | ||
Width 1.12 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay SQS484CENW-T1_GE3 is a automotive N-channel 40V (D-S) 175°C MOSFET.
TrenchFET power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQS484CENW Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS484CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW