onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET, 235 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTMFSC1D6N06CL
- RS Stock No.:
- 195-8747
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFSC1D6N06CL
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB740.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB792.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 150 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB74.045 | THB740.45 |
| 750 - 1490 | THB72.195 | THB721.95 |
| 1500 + | THB71.084 | THB710.84 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-8747
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFSC1D6N06CL
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 235A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | NTMFS | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 91nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6mm | |
| Height | 0.95mm | |
| Width | 5 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 235A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series NTMFS | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 91nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6mm | ||
Height 0.95mm | ||
Width 5 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This N-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced Power Trench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance.
Top and bottom sided exposed in standard 5x6mm pin-out
Improved thermal dissipation through top and bottom side of the package
Ultra low RDS-on
Reduced conduction loss
Reduced capacitances and package inductance
Reduced switching loss
Applications
Synchronous Rectifier in AC-DC and DC-DC power supplies
Motor Switch
Load switch
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTMFS034N15MC
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 100 V N, 8-Pin PQFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 100 V N, 8-Pin PQFN NTMFS7D8N10GTWG
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN