STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 195-2681P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA75N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB3,451.92
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,693.52
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
เพิ่มอีก 8 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB431.49 |
| 15 + | THB424.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2681P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA75N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 72A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 36mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 446W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 21.1mm | |
| Width | 5.1 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 72A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 446W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 21.1mm | ||
Width 5.1 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected
