onsemi NVTFS010N10MCL N-Channel MOSFET, 57.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- RS Stock No.:
- 195-2554P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVTFS010N10MCLTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 390 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB18,052.71
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19,316.31
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- เพิ่มอีก 5,040 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 390 - 720 | THB46.289 |
| 750 + | THB45.578 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2554P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVTFS010N10MCLTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 57.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | WDFN | |
| Series | NVTFS010N10MCL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 77.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Height | 750μm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.15mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 57.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type WDFN | ||
Series NVTFS010N10MCL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 77.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.3mm | ||
Height 750μm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.15mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (3x3 mm)
Compact Design
Low On-Resistance
Minimizes Conduction Losses
Low Capacitance
Minimize Driver Losses
PPAP Capable
Suitable for Automotive Applications
Application
Reverser Battery protection
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
Switching power supplies
