onsemi NTMYS7D3N04CL N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- RS Stock No.:
- 195-2525P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMYS7D3N04CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB39,166.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB41,908.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 750 - 1470 | THB52.222 |
| 1500 + | THB51.419 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2525P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMYS7D3N04CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 52A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NTMYS7D3N04CL | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.25mm | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 52A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NTMYS7D3N04CL | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.25mm | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK4 Package, Industry Standard
These Devices are Pb−Free
