onsemi NVMYS5D3N04C Type N-Channel MOSFET, 71 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS5D3N04CTWG
- RS Stock No.:
- 195-2523
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMYS5D3N04CTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 30 ชิ้น)*
THB956.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,023.09
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 5,970 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 30 - 720 | THB31.872 | THB956.16 |
| 750 - 1470 | THB31.075 | THB932.25 |
| 1500 + | THB30.597 | THB917.91 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2523
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMYS5D3N04CTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 71A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | NVMYS5D3N04C | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.15mm | |
| Width | 4.25 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 71A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series NVMYS5D3N04C | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Height 1.15mm | ||
Width 4.25 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK4 Package, Industry Standard
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVMYS5D3N04C Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS5D3N04C Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS5D3N04C Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS5D3N04CTWG
- onsemi NVMYS1D3N04C Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS025N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- Nexperia BUK9M1440E Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK