onsemi NCV51705 MOSFET Enhancement, 24-Pin QFN
- RS Stock No.:
- 195-2459P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NCV51705MNTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 1500 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 1%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB71,091.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB76,068.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 940 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | การประหยัด |
|---|---|---|
| 750 - 1490 | THB94.789 | - |
| 1500 + | THB93.331 | 1% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2459P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NCV51705MNTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Package Type | QFN | |
| Series | NCV51705 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 24 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.9W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 4.1mm | |
| Height | 850μm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q100 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Package Type QFN | ||
Series NCV51705 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 24 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.9W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 4.1mm | ||
Height 850μm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q100 | ||
The NCV51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losses are also minimized. For improved reliability, dV/dt immunity and even faster turn−off, the NCV51705 can utilize its on−board charge pump to generate a user selectable negative voltage rail. For isolated applications, the NCV51705 also provides an externally accessible 5 V rail to power the secondary side of digital or high speed opto isolators.