STMicroelectronics Single 1 N-Channel, 25 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N65DM2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
192-4952P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STP26N65DM2
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current (Id)

25 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

650 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

3

Package Type

TO-220

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

1.6 V

Height

15.75 mm

Length

10.4 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

190 Ω

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

25 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

160 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface, Through Hole, Through Hole

Standards/Approvals

FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

35.5 nC

Width

4.6 mm

COO (Country of Origin):
CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and Ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected