ROHM SiC N-Channel MOSFET, 70 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 SCT3030ARC14

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
RS Stock No.:
191-8501
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT3030ARC14
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

39 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

262 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

22 V

Typical Gate Charge @ Vgs

104 nC @ 18V

Transistor Material

SiC

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

SCT3030AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver source terminal is improving high-speed switching performance.

Low on-resistance

Fast switching speed

Fast reverse recovery

Easy to parallel

Simple to drive

Pb-free lead plating

High efficiency 4pin package

Evaluation board 'P02SCT3040KR-EVK-001'

Application

Solar inverters

DC/DC converters

Switch mode power supplies

Induction heating

Motor drives

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง