onsemi N-Channel MOSFET, 44 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 189-0419P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVHL080N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB4,213.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,508.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB526.68 |
| 15 + | THB518.58 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 189-0419P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVHL080N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 162mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -15V, +25V | |
| Forward Voltage Vf | 4V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 348W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.82mm | |
| Length | 15.87mm | |
| Height | 20.82mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 162mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -15V, +25V | ||
Forward Voltage Vf 4V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 348W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.82mm | ||
Length 15.87mm | ||
Height 20.82mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−3
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
1200V rated
Max RDS(on) = 110mΩ at Vgs = 20V, Id = 20A
High Speed Switching and Low Capacitance
Devices are Pb-Free
Applications
PFC
OBC
End Products
Automotive DC/DC converter for EV/PHEV
Automotive On Board Charger
Automotive Auxiliary Motor Drive