onsemi Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 189-0263
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTP150N65S3HF
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB5,613.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,006.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB112.262	THB5,613.10
100 - 150	THB109.822	THB5,491.10
200 +	THB107.382	THB5,369.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 189-0263
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTP150N65S3HF
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	150mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	192W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	43nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	16.3mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Width	4.7 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 192W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 16.3mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Width 4.7 mm
	Automotive Standard No

Datasheet NTP150N65S3HF

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 43 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 400 pF)

Higher system reliability at low temperature operation

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 121 mΩ

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

onsemi Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง