STMicroelectronics STB11NM80 N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB11NM80T4
- RS Stock No.:
- 188-8461
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB11NM80T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB562.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB601.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 248 | THB281.01 | THB562.02 |
| 250 - 498 | THB273.985 | THB547.97 |
| 500 + | THB269.76 | THB539.52 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8461
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB11NM80T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MDmesh Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | STB11NM80 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 860mV | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.4mm | |
| Height | 4.37mm | |
| Width | 9.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MDmesh Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series STB11NM80 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 860mV | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.4mm | ||
Height 4.37mm | ||
Width 9.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Best RDS(on)Qg in the industry
Applications
Switching applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STB11NM80 N-Channel MDmesh Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB11NM80T4
- STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MDmesh V Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF16N65M5
- STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF11NM80
- STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW11NM80
- STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP11NM80
- STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF15N65M5