STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB11NM80T4
- RS Stock No.:
- 188-8461
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB11NM80T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB521.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB558.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 248 | THB260.87 | THB521.74 |
| 250 - 498 | THB254.35 | THB508.70 |
| 500 + | THB250.43 | THB500.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8461
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB11NM80T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MDmesh Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | STB11NM80 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.86V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.37mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.35 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MDmesh Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series STB11NM80 | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.86V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.37mm | ||
Length 10.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.35 mm | ||
Automotive Standard No | ||
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Best RDS(on)Qg in the industry
Applications
Switching applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP11NM80
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW11NM80
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF11NM80
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF15N65M5
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP