STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 188-8280
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STB11NM80T4
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB146,468.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB156,721.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

เพิ่มอีก 1000 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี

คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB146.468	THB146,468.00
2000 - 3000	THB142.074	THB142,074.00
4000 +	THB137.812	THB137,812.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-8280
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STB11NM80T4
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MDmesh Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	STB11NM80
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	43.6nC
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±30 V
	Forward Voltage Vf	0.86V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	9.35 mm
	Height	4.37mm
	Length	10.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MDmesh Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series STB11NM80
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43.6nC
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V
	Forward Voltage Vf 0.86V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 9.35 mm
	Height 4.37mm
	Length 10.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet STB11NM80T4

These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

Low input capacitance and gate charge

Low gate input resistance

Best RDS(on)Qg in the industry

Applications

Switching applications

STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

เพิ่มอีก 1000 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed